连续加料技术CCZ，由于它在节约能源和原料上的优势，正在获得单晶生产企业的关注。但是，作为一种新技术，连续加料还面对不少困难，其中之一是合适原料的制造。CCZ需要大小均匀的小颗粒，表面洁净，而且成本低廉。达到其中任何一个要求都不难;同时满足所有要求是一个技术上的难题。

CCZ原料的第一个选择是流床法生产的颗粒料，俗称菜籽料。颗粒料的大小合适，价格低廉，但是纯度不够高，而且颗粒料一旦有沾污，无法清洗。所以目前颗粒料在CCZ中的应用还不成熟。

　　多晶颗粒

　　第二个选择是把西门子法生产的多晶棒破碎成小颗粒。这个方法的优点是材料纯度高，材料容易清洗;缺点是破碎过程中损耗大。所以使用西门子块料的难点是怎样在低损耗的前提下，把多晶硅破碎成大小合适的颗粒。

目前，破碎多晶硅有几个方法。1.)机械破碎;2.)脉冲破碎;3.)热破碎。

机械破碎采用颚式或滚筒破碎机，优点是简单易行，缺点是破碎过程中，大量原料被压成粉末，损耗大。另一个缺点是容易有金属沾污，对后续的清洗要求比较高。

脉冲破碎是用高电压脉冲把多晶硅棒在水中击碎。优点是生产过程中污染少;缺点是效率低，一天只能生产几百公斤，无法满足生产需要。

热破碎是把硅料加热后迅速冷却，通过热胀冷缩来破碎材料。优点是损耗低，缺点是容易产生氧化污染，而且材料的大小不容易控制。

另外需要强调的是，破碎后的材料形状对于CCZ也很重要。需要尽量减少尖锐的颗粒，以避免加料过程中的堵塞。

由于小颗粒的表面积非常大，很容易产生沾污，所有破碎后的材料都需要清洗。当CCZ技术用于半导体拉晶时，材料清洗尤其重要。

SRS全自动腐蚀清洗设备

　　经过多年的试验，SRS公司开发出独特的工艺，可以把破碎的硅料控制在5毫米到45毫米之间，而且可以根据客户的需要调整硅料的大小。在破碎的过程中，损耗可以控制在5%以下。同时SRS公司拥有全自动化的洗料生产线，清洗后的硅料达到电子级水平。SRS生产的材料得到美国主要多晶厂的认证，并为这些工厂做代工破碎和清洗。下图是材料清洗后的金属含量。

　　5-45毫米硅料清洗后表面杂质含量(pptw)